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三：PN结的击穿

PN结处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过PN结的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象我们就称为反向击穿。   击穿形式分为两种：雪崩击穿和齐纳击穿。   对于硅材料的PN结来说，击穿电压〉7v时为雪崩击穿，<4v时为齐纳击穿。在4v与7v之间，两种击穿都有。这种现象破坏了PN结的单向导电性，我们在使用时要避免。   击穿并不意味着PN结烧坏。

四：PN结的电容效应

由于电压的变化将引起电荷的变化，从而出现电容效应，PN结内部有电荷的变化，因此它具有电容效应，它的电容效应有两种：势垒电容和扩散电容。    势垒电容是由阻挡层内的空间电荷引起的。    扩散电容是PN结在正向电压的作用下，多数载流子在扩散过程中引起电荷的积累而产生的。 PN结正偏时，扩散电容起主要作用，PN结反偏时，势垒电容起主要作用。